برد ترانزیستورهای قدرت محصول شرکت نکسپریا (Nexperia)

برد ترانزیستورهای قدرت با اثر میدان گالیوم-نیترید (GaN FET) محصول شرکت نکسپریا (Nexperia) در انبار شرکت فارنل(Farnell)  موجود و قابل دسترس است.



فارنل، شرکت توزیع کننده، ترانزیستورهای قدرت با اثر میدان
گالیوم-نیترید (GaN FET) را به خریداران ارسال می‌کند. ترانزیستورهای با اثر میدان می‌توانند در سویچینگ سخت در جریان‌های قطبی AC-DC در اصلاح ضریب قدرت (PFC) کاربرد داشته باشند. کاربرد این ترانزیستورها در سویچینگ نرم، تغییر مرحله مبدل تشدیدی (حالت تشدیدی یا فرکانس ثابت) است. از دیگر کاربردهای این ترانزیستور، ساختارهای مبدل جریان مستقیم در تمامی جریان های DC-AC و مبدل های ماتریکس AC-AC مورد استفاده در سوییچ‌های چند جهت است.

 

براساس اعلام شرکت فارنل از زیر مجموعه هولدینگ Avnet، ترانزیستورهای GaN FET از ولتاژ دیود پایین، بار معکوس پایین برخوردار بوده و دارای قابلیت سویچینگ با سرعت بالا هستند. این ترانزیستورها بسیار مقاوم ساخته شده‌اند و سویچینگ ثابتی با استفاده از یک دروازه مقاوم در برابر جهش ارائه می‌دهند. این امر سبب می‌شود تا این ترانزیستورها به واسطه کاهش اتلاف قدرت در زمینه وسایل حمل و نقل الکتریکی، تجهیزات 5G و وسایل اینترنت اشیا کاربرد داشته باشند.

 

مطابق اعلام توزیع کننده معرفی این برد در زمان درستی انجام شده است. زیرا ترانزیستورها با اثر میدان تراکم امکان استفاده بهینه از انرژی را فراهم می‌کنند. این قابلیت به مهندسان کمک می‌کند تا با قوانین الزام کاهش آلاینده های Co2 آسان‌تر تطبیق پیدا کنند. هر چند این مسئله تا حدودی ضروری هست، زیرا این صنعت در حال حرکت به سوی تبدیل انرژی بهینه و افزایش استفاده از انرژی الکتریسیته است.

 

به گفته فارنل:" GaN بر محدودیت‌های تکنولوژی‌هایی همچون سیستم‌های متصل به شبکه (IGBT) و Sic (سیلیکون کارباید) در تبدیل قدرت غلبه می‌کند." GaN در وسایل نقلیه الکتریکی اتلاف قدرت را کاهش می‌دهد که می‌تواند تعداد زیادی از وسایل نقلیه را تحت تاثیر قرار دهد. همچنین افزایش بهینه سازی تبدیل قدرت، نیاز برای از هم پاشیدگی گرمای تولید شده در سیستم های خنک کننده را کاهش می‌دهد. بنابراین سبب کاهش وزن وسیله‌های نقلیه و پیچیدگی سیستم آنها می‌شود. به علاوه، وسیله نقلیه می‌تواند از یک باتری کوچکتر استفاده کند.

 

به گفته فارنل کاربردهایی برای GaN FET در مرکزهای داده، زیرساخت های مخابراتی و کاربری های صنعتی نیز وجود دارد. فارنل در روز شانزدهم سپتامبر 2020 یک وبینار رایگان در خصوص تکنولوژی قدرت GaN برگزار خواهد کرد. این وبینار مروری اجمالی بر تکنولوژی کسکود نکسپریا خواهد داشت و درباره مزیت‌ ساختارهای سویچینگ سخت و نرم نیز صحبت خواهد شد.




قطعات الکترونیک - بردمدار چاپی - مهندسی معکوس
processing...